|
|
訂閱社區(qū)雜志 |
站立石墨烯微型超級(jí)電容器獲進(jìn)展 |
(時(shí)間:2017-4-6 8:42:41) |
近日,中科院大連化物所研究員吳忠?guī)浥c包信和院士、中科院物理研究所研究員郭麗偉合作,采用高溫?zé)峤釹iC法制備出高堆疊密度、單取向陣列、直接鍵合基底的站立石墨烯,并將其應(yīng)用于高功率微型超級(jí)電容器。相關(guān)研究成果發(fā)表在《美國化學(xué)會(huì)納米》期刊上。 研究人員利用高溫?zé)峤釹iC基底方法制備出高堆疊密度、高導(dǎo)電、單一取向的站立石墨烯陣列。與傳統(tǒng)電極材料相比,該陣列直接生長在導(dǎo)電SiC基底上,在電極材料與集流體之間形成較強(qiáng)的界面鍵合作用,并建立了有效的離子和電子傳輸通道。電解液離子可沿著站立石墨烯平面無障礙快速移動(dòng),有效縮短了電解液離子路徑,同時(shí),電子從石墨烯平面到集流體實(shí)現(xiàn)了快速傳輸及其存儲(chǔ)。采用該陣列的微型超級(jí)電容器在凝膠和離子液體電解液中均表現(xiàn)出較高的面容量、快速的頻率響應(yīng)(9毫秒)、優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性以及超高掃描速率(200V/s)。該超級(jí)電容器功率密度達(dá)到61W/cm3,理論上可為小型化、集成化電子設(shè)備提供足夠的峰值功率。為發(fā)展強(qiáng)界面鍵合電極材料應(yīng)用于高功率超級(jí)電容器提供了新方法。
|
|
|
|
推薦圖片 |
|
熱點(diǎn)文章 |
|
|